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Intel anunció el desarrollo de un nuevo tipo de transistores que serán la base
de los chips que se fabricarán hacia mediados de la próxima década.
Por sus características se trata de transistores superveloces y de ultra bajo consumo de electricidad.
Investigadores de Intel y QinetiQ desarrollaron de modo conjunto un nuevo tipo de transistor usando un compuesto de indium antimonio
(símbolo químico InSb) como conductor eléctrico.
El uso de nuevos materiales para este desarrollo permitirá extender la vigencia de la llamada Ley de Moore, según la cual el poder
computacional crece al doble cada 18 meses.
Este avance permitirá extender, en principio hasta el 2015 la vigencia de la Ley de Moore, dijo Ken David, director de investigación
de nuevos componentes de Intel.
Este tipo de transistores de menor consumo eléctrico -para uso en chips y otros dispositivos lógicos- permitirá más duración de las
baterias para todo tipo de dispositivos móviles.
Los chips a fabricarse hacia el 2015 tendrán 50% más de performance y un consumo eléctrico de una décima parte de los actiales.
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