Intel y Micron se unen para desarrollar chips con tecnología NAND

Intel y Micron Technology anunciaron el desarrollo de una tecnología de memoria flash de alta capacidad de datos para tarjetas flash y unidades USB.

Las dos empresas se han asociado para comenzar la fabricación de chips de memoria flash, y dicen haber desarrollado una memoria flash NAND de una capacidad de 3 bits por celda, basándose en la tecnología de 34-nanómetros.

Esto permite una mayor densidad de datos que el estándar de 2 bits por celda y por lo tanto esta tecnología se traducirá en unidades USB flash de alta capacidad, según Micron Technology.

El Vice presidente de Micron, Brian Shirley, dice que las empresas van a “seguir avanzando sobre nuevas formas de encoger en NAND” y dijeron que ellos ven a los tres bits por celda NAND como “una pieza importante de nuestra hoja de ruta“.

Mientras más bits tenga una celda, más densidad de datos tendremos y esto no es tan confiable como la memoria flash basada en tecnología más standard, según Micron.

Por lo tanto, los chips de 3-bits por celda se limitarán inicialmente a las unidades flash, que no requieren ser tan confiables con el almacenamiento de datos como una unidad de estado sólido.