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El nuevo dispositivo de 8 gigabytes, en 20 nm, logra la capacidad más elevada en el formato más pequeño para tablets, teléfonos inteligentes, discos sólidos (SSDs) y otros dispositivos de consumo y de cómputo.
El crecimiento en el almacenamiento de datos, combinado con mejoras en las características de los tablets y de los teléfonos inteligentes, está creando nuevas demandas para la tecnología flash NAND, especialmente una mayor capacidad en diseños más pequeños.
El nuevo dispositivo de 8 GB en 20 nm mide sólo 118 mm2 y permite una reducción de un 30 a un 40 por ciento en el espacio de la placa base (dependiendo del tipo de paquete) en comparación con el dispositivo NAND anterior de la compañía, de 8 GB, en 25 nm.
Una reducción en el diseño de almacenamiento flash proporciona una mayor eficiencia a nivel de sistema, ya que les permite a los fabricantes de tablets y teléfonos inteligentes utilizar el espacio adicional para mejoras en el producto final, como una batería más grande, una pantalla más amplia o la adición de otro chip para manejar nuevas características.
El proceso de 20 nm produce un dispositivo Flash NAND de célula multinivel (MLC, del inglés “multi-level cell”), que ofrece una opción de almacenamiento para guardar música, video, libros y otros datos en teléfonos inteligentes, tablets y soluciones de cómputo como unidades de estado sólido (SSDs, del inglés “Solid-State Drives”).
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