Una innovación de Intel consolida la era 3D

Intel anunció un gran avance científico y una innovación histórica en microprocesadores: los primeros transistores 3-D del mundo, llamados Tri-Gate, como tecnología en producción.

La combinación sin precedentes en el mejoramiento del desempeño y la reducción del consumo energético permitirán innovaciones en una amplia gama de dispositivos, desde los más pequeños dispositivos de mano hasta poderosos servidores en nube.

Intel también mostró un microprocesador de 22 nm (cuyo nombre código es Ivy Bridge) que será el primer chip producido en grandes cantidades con transistores 3-D Tri-Gate y llegará al mercado a fines de 2011.

Enviamos adjunta más información y una imagen comparando un transistor con estructura en 2D y los nuevos Tri-Gate.

Por primera vez desde su invención, hace más de 50 años, los transistores de silicio se construirán usando un revolucionario diseño en tres dimensiones, llamado Tri-Gate, revelado por primera vez por Intel en 2002, y se comenzarán a fabricar en grandes cantidades a finales de este año en el nodo de 22 nanómetros (nm) en un chip de Intel con nombre código Ivy Bridge. Un nanómetro es la milmillonésima parte de un metro.

Los transistores tridimensionales Tri-Gate representan un cambio fundamental con relación a la estructura plana de los transistores de dos dimensiones, que ha sido la tecnología usada no sólo en computadoras, celulares y electrónica de consumo hasta la fecha, sino también en controles electrónicos de vehículos, naves espaciales, electrodomésticos, dispositivos médicos y, virtualmente, miles de otros dispositivos de uso común, por décadas.

“Nuestra invención de los transistores Tri-Gate y la rápida aplicación a nuestros chips de 22 nm son hechos que producirán cambios importantes en el escenario”, dijo el presidente y CEO de Intel, Paul Otellini. “Junto con las anteriores invenciones de Intel, la puerta de metal high-k y las invenciones de silicio endurecido, en 2007 y 2003, respectivamente, los nuevos transistores 3-D le ayudarán a Intel a reducir drásticamente el consumo de energía y los costos por transistor, al tiempo que mantienen el aumento del desempeño. Esto permitirá productos sobresalientes, que irán desde dispositivos de mano móviles muy pequeños a las supercomputadoras más rápidas del mundo”.

Los científicos reconocen desde hace mucho tiempo los beneficios de una estructura 3-D para darle continuidad a la Ley de Moore a medida que las dimensiones de los dispositivos se vuelven tan pequeñas que las leyes físicas se convierten en barreras al avance. La llave al avance de hoy es la habilidad de Intel para fabricar en grandes cantidades su nuevo diseño de transistor 3-D Tri-Gate, entrando así en la próxima era de la Ley de Moore y abriéndoles la puerta a una nueva generación de innovaciones a lo largo de un amplio espectro de dispositivos.