El chip de silicio más veloz del mundo

Un desarrollo de IBM y el Instituto Tecnológico
Georgia

El nuevo chip es capaz de funcionar a quinientos mil millones de ciclos por segundo
al ser criogenizado a 233 ºC bajo cero, temperatura que sólo se encuentra de forma natural en el espacio exterior

En comparación, este chip es 250 veces más rápido que los utilizados en los más avanzados teléfonos móviles actuales, que normalmente
operan a unos 2 GHz

IBM y el Instituto Tecnológico Georgia hicieron el anuncio del primer chip de silicio capaz de operar a frecuencias superiores a los
500 GHz (quinientos mil millones de ciclos por segundo), al “congelar” criogénicamente el chip a 233 ºC bajo cero.

Estas temperaturas tan bajas sólo se encuentran de forma natural en el espacio exterior, pero se pueden obtener artificialmente en la
tierra utilizando materiales ultra-fríos como el helio líquido.

El cero absoluto, la temperatura más fría posible en la naturaleza, a la cual cesa el movimiento de las partículas, se corresponde
aproximadamente con los 273,16º C bajo cero.

En comparación, este chip es 250 veces más rápido que los teléfonos móviles actuales, que normalmente operan a unos 2 GHz.

Además, las simulaciones informáticas realizadas señalan que la tecnología utilizada en el chip podría llegar a dar soporte a
frecuencias operativas aún mayores (cerca de un terahercio, o 1.000 GHz), incluso a temperatura ambiente.

Los experimentos, llevados a cabo de forma conjunta por investigadores de IBM y del Georgia Tech, son parte de un proyecto más amplio
para explorar los límites de velocidad de los dispositivos de silicio-germanio (SiGe), que operan más rápido a temperaturas muy bajas.

Los chips utilizados son prototipos de la tecnología de cuarta generación SiGe desarrollada por IBM en una oblea de 200 milímetros. A
temperatura ambiente, fueron capaces de operar a unos 350 GHz.

?Por primera vez en la historia, el Instituto Tecnológico Georgia e IBM han demostrado que la velocidad de la mitad de un trillón de
ciclos por segundo puede ser convertida en una tecnología comercial, utilizando obleas y silicio compatibles con las técnicas de
producción de bajo coste?, afirma John D. Cressler, del centro de Diseño Electrónico del Instituto Georgia.

?Este trabajo redefine los límites de lo que es posible utilizando técnicas nanotecnológicas de silicio-germanio?.